ファブリ・ペロ半導体レーザの放射線耐性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD07057

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2007/12/14

タイトル(英語): Radiation Hardness in Fabry-Perot Semiconductor Lasers

著者名: 權田俊一 (福井工業大学)

著者名(英語): Shun-ichi Gonda( Fukui University of Technology)

キーワード: 半導体レーザ　InGaAsPレーザ|AlGaAsレーザ|GaInPレーザ|GaInNレーザ|陽子線照射|放射線耐性|非イオン化エネルギー損失

要約(日本語): 1.3?m InGaAsPレーザの陽子線、中性子線、電子線照射効果およびAlGaAs,、GaInP、GaInN レーザの陽子線照射効果を議論した。閾値電流損傷係数Ｋをそれぞれのレーザについて評価し、比較した。Ｋの放射線および粒子エネルギー依存性を、またＫのレーザ材料およびレーザ構造依存性を議論した。

要約(英語): Proton, neutron and electron radiation effcts in 1.3?m InGaAsP lasers and proton radiation effects in AlGaAs, GaInP and GaInN lasers are discussd. Threshold current damage factors K are estimated for each laser and compared. Radition and particle energy d

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 329 Kバイト