AlGaAs系半導体レーザのプロトン照射損傷

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD08059

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　光・量子デバイス研究会

発行日: 2008/12/11

タイトル(英語): Proton Radiation Damage in AlGaAs Semiconductor Lasers

著者名: 權田俊一 (福井工業大学),森田 剛徳(浜松ホトニクス),菅 博文(浜松ホトニクス)

著者名(英語): Shun-ichi Gonda(Fukui University of Technology ),Takenori Morita(Hamamatsu Photonics K.K.),Hirofumi Kan(Hamamatsu Photonics K.K.)

キーワード: 半導体レーザ|，ナロウストライプ半導体レーザ|ブロードエリア半導体レーザ|プロトン照射|放射線照射損傷|AlGaAs|semiconductor laser|narrow-stripe semiconductor laser|broad-area semiconductor laser|proton irradiation|AlGaAs

要約(日本語): Proton beams with energy of 10MeV were irradiated onto 808nm AlGaAs broad-area and narrow-stripesemiconductor lasers. The threshold current damage factor K is larger for broad-area lasers than narrow-stripelasers. The K of lasers irradiated in the directi

要約(英語): Proton beams with energy of 10MeV were irradiated onto 808nm AlGaAs broad-area and narrow-stripe semiconductor lasers. The threshold current damage factor K is larger for broad-area lasers than narrow-stripe lasers. The K of lasers irradiated in the direc

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 655 Kバイト