小型プロジェクタ用640nm 帯高出力半導体レーザ
小型プロジェクタ用640nm 帯高出力半導体レーザ
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: OQD08061
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会
発行日: 2008/12/11
タイトル(英語): 640nm-band High Power Semiconductor Laser Diodes for Mini Projector
著者名: 八木 哲哉(三菱電機),由川真 (三菱電機),島田 尚往(三菱電機),柴田 公隆(三菱電機),小野 健一(三菱電機)
著者名(英語): Tetsuya Yagi(Mitsubishi Electric Corporation),Makoto Yukawa(Mitsubishi Electric Corporation),Naoyuki Shimada(Mitsubishi Electric Corporation),Kimitaka Shibata(Mitsubishi Electric Corporation),Kenichi Ono(Mitsubishi Electric Corporation)
キーワード: レーザプロジェクタ|高出力|赤色|半導体レーザ|横マルチモード|横シングルモード|laser projector|high power|red|semiconductor laser|lateral multi mode|lateral single mode
要約(英語): Two type (lateral multi mode and single mode ones) of 640 nm high power laser diodes are developed for a red light source of small laser projectors. It is demonstrated that the former is suitable for an illumination type projector and the latter for a hol
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 474 Kバイト
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