メタルゲートFinFET技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD09065

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　光･量子デバイス研究会

発行日: 2009/09/01

タイトル(英語): Metal-Gate FinFET Technology

著者名: 昌原明植 (産業技術総合研究所),松川 貴(産業技術総合研究所),遠藤 和彦(産業技術総合研究所),柳永 (産業技術総合研究所),大内真一 (産業技術総合研究所)

著者名(英語): Meishoku Masahara(AIST),Takashi Matsukawa(AIST),Kazuhiko Endo(AIST),Yongxun Liu(AIST),Shin-ichi O'uchi(AIST)

キーワード: トランジスタ|フィン型トランジスタ|メタルゲート|製造技術|記憶素子|MOSFET|FinFET､Metal-gate|CMOS Process Technology|SRAM

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 748 Kバイト