半極性{20-21}面GaN基板上緑色レーザーの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD10031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2010/06/18

タイトル(英語): True Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar {20-21} GaN Substrates

著者名: 中村 孝夫(住友電気工業㈱),上野 昌紀(住友電気工業㈱),片山 浩二(住友電気工業㈱)

著者名(英語): Nakamura Takao(Sumitomo Electric Industries,LTD.),Ueno Masaki(Sumitomo Electric Industries,LTD.),Katayama Koji(Sumitomo Electric Industries,LTD.)

キーワード: 緑色レーザ|ＩｎＧａＮ|半極性|green laser|InGaN|semi-polar

要約(日本語): 緑色半導体レーザーが実現できれば、光の３原色がすべて半導体レーザーで揃うことになる．高精細のレーザーTVや携帯機器向け超小型レーザープロジェクタへの応用，さらに全く新しいアプリケーションの開発が期待され，世界的な開発競争が激しくなっている．本稿では，各機関の開発動向に加え，高In組成のInGaN発光層の高品質化が実現できる特殊な半極性面 {20-21}のGaN基板を用いることで緑色半導体では世界最長となる531nmでのレーザー発振と520nmのCW発振を実現した。

要約(英語): 531 nm, and 520 nm true green lasing were demonstrated by using InGaN based laser diodes (LDs) on novel semi-polar {20-21} GaN substrates under pulsed, and continuous-wave (cw) operation at room temperature, respectively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,301 Kバイト