高速スキャンニングCWレーザ・アニーリングを用いたシリコン基板温度変化の有限要素法による考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD11007

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2011/03/04

タイトル(英語): Effect of Surface on Silicon Substrate Irradiated by Infrared and Ultraviolet CW Lasers

著者名: 金子 智(神奈川県庁),秋山 賢輔(神奈川県庁),伊藤 健(神奈川県庁),安井 学(神奈川県庁),本泉 佑(神奈川県庁),田中 聡美(神奈川県庁),加藤 千尋(神奈川県庁),平林 康男(神奈川県庁),小沢 武(神奈川県庁),松野 明(フェトン),楡 崇(フェトン),吉本 護(東京工業大学)

著者名(英語): Kaneko Satoru(Kanagawa Industrial Technology Center),Akiyama Kensuke(Kanagawa Industrial Technology Center),Ito Takeshi(Kanagawa Industrial Technology Center),Yasui Manabu(Kanagawa Industrial Technology Center),Motoizumi Yu(Kanagawa Industrial Technology Center),Tanaka Satomi(Kanagawa Industrial Technology Center),Kato Chihiro(Kanagawa Industrial Technology Center),Hirabayashi Yasuo(Kanagawa Industrial Technology Center),Ozawa Takeshi(Kanagawa Industrial Technology Center),Matsuno Akira(Phoeton Corp.),Nire Takashi(Phoeton Corp.),Yoshimoto Mamoru(Tokyo Istitute of Technology)

キーワード: ＣＷレーザ|シリコン|アニール|有限要素法|赤外線レーザ|可視光レーザ|CW laser|silicon|annealing|finite element method|infrared laser|visible laser

要約(日本語): 可視光と近赤外線の2つのレーザを用いてシリコン基板のアモルファス層へのアニールを試みた。アニール後にシート抵抗を測定し、結晶性の評価をラマンで行った。有限要素法により3次元でのシリコン基板表面の時間依存温度分布の評価を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 7,593 Kバイト