光センシング用広帯域半導体光源

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD11024

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2011/06/23

タイトル(英語): Broadband Semiconductor Light Source for Optical Sensing

著者名: 大郷 毅(富士フイルム),向井 厚史(富士フイルム),矢口 純也(富士フイルム),浅野 英樹(富士フイルム)

著者名(英語): Ohgoh Tsuyoshi(FUJIFILM Corporation),Mukai Atsushi(FUJIFILM Corporation),Yaguchi Junya(FUJIFILM Corporation),Asano Hideki(FUJIFILM Corporation)

キーワード: 光センシング|高出力|広帯域|Optical sensing|High power|Broadband spectrum

要約(日本語): 光センシング用の高出力かつ広帯域な半導体光源を開発した。半導体光源にとって発光スペクトルの広帯域化と高出力化はトレードオフの関係にあるが、我々は発光領域を多重化することで、このトレードオフを超える特性を得るに至った。具体的には波長1um帯光源にて、従来素子と比較して出力は同等ながら波長帯域で1.9倍となる波長半値幅155nmが得られた。

要約(英語): Semiconductor light emitting devices with a high-power output and a broadband spectrum characteristic are accepted as a promising light source for the optical sensing system. However, the characteristics of a high-power and a broadband spectrum are in a trade-off relationship. We have successfully fabricated a broad band emitting diode by multipying emission areas. This device has the performance of 1.9 times of spectrum width compared with the conventional devices of indentical outputs. This result shows the device performance exceeds that of the conventional trade-off.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,198 Kバイト