AlGaN MQWを用いた高出力 280 nm 深紫外LED

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD11027

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2011/06/23

タイトル(英語): High Output Power 280-nm Deep Ultraviolet LED by Using AlGaN MQWs

著者名: 藤岡 陽(日亜化学工業),三崎 貴生(日亜化学工業),村山 隆史(日亜化学工業),三賀 大輔(日亜化学工業),成川 幸男(日亜化学工業),向井 孝志(日亜化学工業)

著者名(英語): Fujioka Akira(Nichia Corporation),Misaki Takao(Nichia Corporation),Murayama Takashi(Nichia Corporation),Sanga Daisuke(Nichia Corporation),Narukawa Yukio(Nichia Corporation),Mukai Takashi(Nichia Corporation)

キーワード: 深紫外|ＡｌＧａＮ|ＬＥＤ|高出力|窒化物|Deep Ultraviolet|AlGaN|LED|MQW|nitride

要約(日本語): AlGaN MQWを用いて波長280nmの深紫外LEDを作製した．20mAでの光出力は3.5mW，外部量子効率は4%に達した．更にチップを最大で54個，1つのパッケージに実装することで250mWの高出力光源を作製した．

要約(英語): We have developed 280-nm deep ultraviolet LEDs by using AlGaN MQWs. We also demonstrate a high-output power LED by assembling multiple small chips.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 800 Kバイト