半極性{202(－)1}面GaN基板上純緑色レーザの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD11029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2011/06/23

タイトル(英語): True Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar {202(-)1} GaN Substrates

著者名: 高木 慎平(住友電気工業),片山 浩二(住友電気工業),上野 昌紀(住友電気工業),池上 隆俊(住友電気工業),中村 孝夫(住友電気工業)

著者名(英語): Takagi Shimpei(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Katayama Koji(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Ueno Masaki(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Ikegami Takatoshi(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Nakamura Takao(Sumitomo Electric Industries,Ltd.)

キーワード: 半極性|ＧａＮ|緑色|半導体レーザ|semi-polar|GaN|green|semiconductor laser

要約(日本語): レーザーＴＶや携帯機器向け超小型レーザープロジェクタへの応用が期待される純緑色半導体レーザの開発競争が近年、激しさを増している。半極性{202-1}面ＧａＮ基板上に作製した緑色レーザは520nm以上の波長帯において、発振閾値が低いという特長があり、低閾値で高効率の緑色レーザの実現が期待される。本報告では、最新の開発状況について紹介する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,021 Kバイト