VCSELの高出力化最新動向
VCSELの高出力化最新動向
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: OQD12043
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会
発行日: 2012/10/22
タイトル(英語): Recent progress of high power VCSELs
著者名: 宮本 智之(東京工業大学)
著者名(英語): Miyamoto Tomoyuki(Tokyo Institute of Technology)
キーワード: 半導体レーザ|面発光レーザ|高出力|単一横モード|アレイ|VCSEL|semiconductor laser|surface emitting laser|high output power|single transverse mode|array|VCSEL
要約(日本語): 面発光レーザ(VCSEL)は,その構造上の特徴や特性などから,半導体レーザの新たな応用範囲を広げている.光源として,その高出力化がその重要な応用拡大のけん引力となる.本報告では,単一横モード高出力化,大面積高出力化,アレイ高出力化など,多様なVCSELの形態ごとの最新の動向をレビューする.
要約(英語): A surface emitting laser (VCSEL) is a key device that extends new applications of semiconductor lasers. High power VCSELs have been demanded and developed for various applications. This report reviews the recent progress of technologies for the output power increase of single transverse mode VCSELs, large-area VCSELs, and arrayed VCSELs.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,084 Kバイト
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