近赤外横シングルモード半導体レーザの高温における電気-光変換効率の改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD12044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2012/10/22

タイトル(英語): Improvement of wall plug efficiency in near infrared lateral single-mode LDs at high temperature

著者名: 八木 哲哉(三菱電機),丸山 拓人(三菱電機),楠 政諭(三菱電機),島田 尚往(三菱電機),宮下 宗治(三菱電機)

著者名(英語): Yagi Tetsuya(Mitsubishi Electric Corporation),Maruyama Takuto(Mitsubishi Electric Corporation),Kusunoki Masatsugu(Mitsubishi Electric Corporation),Shimada Naoyuki(Mitsubishi Electric Corporation),Miyashita Motoharu(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 半導体レーザ|電気－光変換効率|横シングルモード|近赤外|ＡｌＧａＩｎＰ|laser diode|wall plug efficiency|lateral single mode|near infrared|AlGaInP

要約(日本語): 830nm帯横シングルモード半導体レーザ（LD）の電気-光変換効率（WPE）を、AlGaInPクラッド層を用いることで著しく改善された。試作したLDの特性温度は154Kであり、60℃、400mW・CWにおいて40%のWPEを示した。また、400mW/60℃において1100時間以上安定に動作することも確認した。

要約(英語): Wall plug efficiency (WPE) of 830 nm single mode LD is dramatically improved with AlGaInP cladding layers. The LD shows excellent temperature characteristics as To of 154 K, and its WPE is around 40% at 400mW, CW output, 60℃ case temperature.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 485 Kバイト