照明用途の高出力m-GaN基板上InGaN-LED

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD12045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2012/10/22

タイトル(英語): High power InGaN-LED on m-GaN substrate for solid state lighting application

著者名: 横川 俊哉(パナソニック),加藤 亮(パナソニック),井上 彰(パナソニック),山田 篤志(パナソニック)

著者名(英語): Yokogawa Toshiya(Panasonic corporation,Device Module Development Center),Kato Ryo(Panasonic corporation,Device Module Development Center),Inoue Akira(Panasonic corporation,Device Module Development Center),Yamada Atsushi(Panasonic corporation,Device Module Development Center)

キーワード: ＧａＮ|ＩｎＧａＮ|発光ダイオード|固体照明|ＭＯＣＶＤ|高出力|GaN|InGaN|LED|Solid state lighting|MOCVD|High power

要約(日本語): エネルギー使用量の削減や環境負荷低減が世の中の潮流となる中、省エネで長寿命であるLED照明機器の普及が急速に進展しつつある．この要望にこたえるべく、当社はその基幹部品であるGaN基板上高効率、高出力LEDの開発を行っている．特に独自の高品質ｍ面InGaN結晶成長技術と低抵抗電極技術を駆使して、1Aで1.23Wを示す高出力LEDを実現した．c面のLED での顕著なドループによる効率低下は、ｍ面GaN-LEDでは抑えられ、駆動電流密度500A/cm2においても外部量子効率の低下は約20%にとどまり、低ドループ特性を実現した。LEDの照明応用例も紹介する。

要約(英語): Growing demands for reduction of energy consumption and environmental impact are rapidly leading to the spread of solid state LED lighting with low power consumption and high reliability. To meet these demands, we are developing high efficiency and high power LED on GaN substrate. High optical output power of 1.23 W at 1A was obtained by using new technologies, those are epitaxial growth of high quality m-plane InGaN and low contact resistance electrode. The m-plane GaN-LED realized the quite small external-efficiency droop of about 20% up to 500 A/cm2, while large droop seriously occurs in polar c-plane (0001) GaN LED. Application for solid state lighting will be also presented.

原稿種別: 日本語

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