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半極性{20-21}面GaN基板上高出力純緑色レーザの開発

半極性{20-21}面GaN基板上高出力純緑色レーザの開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD12046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2012/10/22

タイトル(英語): High-Power True Green Laser Diodes on Semipolar {20-21} GaN Substrates

著者名: 片山 浩二(住友電気工業),嵯峨 宣弘株(住友電気工業(株))

著者名(英語): Katayama Koji(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Saga Nobuhiro(Sumitomo Electric Industries,Ltd.)

要約(日本語): レーザディスプレイ用光源として緑色半導体レーザの実用化が待ち望まれている。我々は、GaN系半導体レーザの長波化の課題を解決するために、新規に半極性{20-21}面を見出し、純緑色領域で100mWを超える高出力動作と実用寿命を実証した。本発表では、デバイス特性の詳細を紹介する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,306 Kバイト

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