AlGaN系深紫外LEDの進展

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD12047

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2012/10/22

タイトル(英語): Progress of AlGaN Deep-UV LEDs

著者名: 平山 秀樹(理化学研究所)

著者名(英語): Hirayama Hideki(RIKEN)

キーワード: 深紫外ＬＥＤ|ＡｌＧａＮ|ＡｌＮ|結晶成長|内部量子効率|ＭＯＣＶＤ|deep-UV LED|AlGaN|AlN|crystal growth |internal quantum efficiency |MOCVD

要約(日本語): 深紫外LEDは殺菌、浄水、医療などの分野における幅広い応用が期待されておりその開発が望まれている。本研究ではAlGaN系結晶成長の開拓を行うことにより220-350nmの深紫外LEDを実現し実用レベル高出力を実現した。

要約(英語): Deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) are demanded for a wide variety of potential applications, such as sterilization, water and air purification, medical use, and so on. We have developed high output power DUV LEDs with wavelength between 220-350 nm by introducing novel crystal growth techniques of AlN-AlGaN and quantum heterostructures and/or photonic nano-structures.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 6,883 Kバイト