Cs/GaAs系NEA表面のその場観察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD13006

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2013/01/22

タイトル(英語): In situ observation of Cs/GaAs NEA surface

著者名: 目黒 多加志(東京理科大学),早瀬 和哉(東京理科大学),大迫 隼(東京理科大学),西谷 智博(名古屋大学),田渕 雅夫(名古屋大学)

著者名(英語): MEGURO TAKASHI(Tokyo University of Science),HAYASE KAZUYA(Tokyo University of Science),Ohsako Jun(Tokyo University of Science),NISHITANI TOMOHIRO(Nagoya University),TABUCHI MASAO(Nagoya University)

キーワード: 負の電子親和力|セシウム|ガリウムヒ素|表面|Negative Electron Affinity|Cs|GaAs|Surface

要約(日本語): GaAs表面にCsおよび酸素を交互供給することにより、負の電子親和力（NEA）を有する表面を得ることができるが、その形成過程に関してはほとんど分かっていない。本研究では、主として表面光吸収法を用いて、NEA表面形成過程に関して検討している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,447 Kバイト