多重積層InAs量子ドットによる半導体光増幅器の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD13028

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2013/06/20

タイトル(英語): Fabrication of semiconducor optical amplifier using highly stacked InAs quantum dot

著者名: 赤羽 浩一(情報通信研究機構),山本 直克(情報通信研究機構),梅沢 俊匡(情報通信研究機構),菅野 敦史(情報通信研究機構),川西 哲也(情報通信研究機構)

著者名(英語): Akahane Kouichi(National Institute of Information and Communications Technology),Yamamoto Naokatsu(National Institute of Information and Communications Technology),Umezawa Toshimasa(National Institute of Information and Communications Technology),Kanno Atsushi(National Institute of Information and Communications Technology),Kawanishi Tetsuya(National Institute of Information and Communications Technology)

キーワード: 量子ドット|半導体光増幅器|歪補償|quantum dot|semiconductor optical amplifier|strain compensation

要約(日本語): 本研究では歪補償法を利用して結晶成長した多重積層InAs量子ドットを用いて半導体光増幅器（SOA）の作製を行った。20層のInAs量子ドット層を含むSOAモジュールは1.55m帯で動作し、小信号利得として最大で15dBの利得を得た。

要約(英語): A semiconductor optical amplifier (SOA) using highly stacked InAs quantum dots (QDs) as a gain media were fabricated. 20 InAs QD layers were successfully stacked without any degradation of crystal quality by strain compensation technique. A wide range 1.55 m band gain was observed in this SOA module. The maximum gain reached to 15 dB at 1510 nm with the input power below -20dBm.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 611 Kバイト