IFVD窓構造を備えた980nmシングルモード高出力半導体レーザ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD13030

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2013/06/20

タイトル(英語): 980 nm single-mode high power lasers with window structure fabricated by Impurity Free Vacancy Disordering (IFVD)

著者名: 谷口 英広(古河電気工業),衣川 耕平(古河電気工業),田島 正文(古河電気工業)

著者名(英語): Taniguchi Hidehiro(FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD.),Kinugawa Kohei(FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD.),Tajima Masafumi(FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD.)

キーワード: 半導体|レーザダイオード|高出力|高信頼|ＣＯＤ|ＩＦＶＤ|semiconductor|laser diode|high power|high reliable|catastrophic optical damage|impurity free vacancy disordering

要約(日本語): 我々は、空孔拡散を使った量子井戸混晶技術であるIFVD窓構造をもった、980nm高出力半導体レーザの開発に成功した。ゲイン領域のバンドギャップシフトを抑え、窓領域のみ大きくバンドギャップをシフトさせることができる。チップ光出力は、25℃のCW動作において、1500mAで1320mWに達し、さらに、1200mW86℃の4000時間通電試験において、劣化が見られないことを確認した。このように、我々は、高出力かつ高信頼レーザをIFVD窓構造によって実現した。

要約(英語): We have demonstrated high performance single-mode 980nm pump lasers with window structure fabricated by newly developed impurity free vacancy disordering (IFVD) technique. We have succeeded in obtaining the large bandgap shift in window region and maintaining the original bandgap in gain region simultaneously. A high output laser chip power of 1320mW at 1500mA was obtained at 25°C CW operation. Moreover, no sudden failure was observed for 4000 hours life test at 1200mW 86°C.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 530 Kバイト