高出力AlGaInP赤色半導体レーザー

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD14029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2014/06/30

タイトル(英語): High Power AlGaInP Red Laser Diode

著者名: 八木 哲哉(三菱電機),蔵本 恭介(三菱電機),西田 武弘(三菱電機),阿部 真司(三菱電機),宮下 宗治(三菱電機)

著者名(英語): Tetsuya Yagi(Mitsubishi Electric Corporation),Kyousuke Kuramoto(Mitsubishi Electric Corporation),Takehiro Nishida(Mitsubishi Electric Corporation),Shinji Abe(Mitsubishi Electric Corporation),Motoharu Miyashita(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 赤色|高出力|半導体レーザー|熱設計|電子オーバーフロー|red|high power|laser diode|thermal design|electron overflow

要約(日本語): 赤色半導体レーザー（LD）の光出力上限は温度上昇による活性層からの電子のオーバーフローにより決定される。そのため、高出力LDを実現するためにはLDの熱設計が重要となる。新たに開発された2ストライプ構造の赤色LDチップをφ9-TOに組み立て、25℃で3.4Wの出力を得た。この値はφ5.6-TOの従来品の2.5倍の値である。

要約(英語): Limiting factor of the higher output power in red high power laser diode (LD) is an electron over flow from an active layer caused by increasing the active layer temperature. In this sense, thermal design is essential to realize the high power LD. Newly developed red broad area LD with a two-stripe structure and 9mm-TO assembly for thermal resistance reduction outputs 3.4W at 25 ℃, which is approximately 2.5 times higher than that of the conventional LD assembled on 5.6mm-TO.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,132 Kバイト