BeZnCdSe量子井戸による緑・黄色半導体レーザ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD14031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2014/06/30

タイトル(英語): Green/yellow semiconductor laser diodes using BeZnCdSe quantum wells

著者名: 秋本 良一(産業技術総合研究所),葛西 淳一(日立製作所),藤崎 寿美子(日立製作所),田中 滋久(日立製作所),辻 伸二(日立製作所、現所属：科学技術振興機構),挾間 壽文(産業技術総合研究所),石川 浩(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Ryoichi Akimoto(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Jun-ichi Kasai(Hitachi, ltd),Sumiko Fujisaki(Hitachi, ltd),Shigehisa Tanaka(Central Research Laboratory, Hitachi, ltd),Shinji Tsuji(Hitachi, ltd, present affiliation: Japan Science and Technology Agency),Toshifumi Hasama(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Ishikawa( National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 半導体レーザー|ＩＩ－ＶＩ族半導体|ベリリウムカルコゲナイド|緑黄色|semiconductor laser|II-VI semiconductor|beryllium chalcogenide|green-yellow

要約(日本語): 結晶強度の増大が期待されるBeを添加したII-VI材料：BeZnCdSeを活性層とした量子井戸レーザーにおいて、緑色～黄色波長域で比較的低しきい電流密度（Jth<0.85 kA/cm2）をもつ室温連続発振を実現した。小型ディスプレイ用の緑色半導体レーザーへの応用に向けて、純緑色波長の536nmで50ｍWの高出力化を実現した。また、黄色波長域では、この材料系では最長波長となる570nmでの室温連続発振に成功した。

要約(英語): We have demonstrated continuous wave operation of BeZnCdSe quantum well laser diodes at room temperature in the green to yellow spectrum range. High-power lasing over 50mW at a peak wavelength of 536 nm was achieved. By employing highly strained BeZnCdSe quantum wells, continuous wave lasing up to 570nm has been achieved. The threshold current densities of 20-μm-wide lasers were found to be sufficiently low (less than 0.85 kA/cm2) in the wavelength range of 545nm to 570nm.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,429 Kバイト