NEA-GaAs表面における光電子放出特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD15002

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2015/01/26

タイトル(英語): Photo-electron emission from GaAs surface with negative electron affinity (NEA)

著者名: 目黒 多加志(東京理科大学),飯島 北斗(東京理科大学),早瀬 和哉(東京理科大学),平尾 昌幸(東京理科大学),鈴木 一成(東京理科大学),矢崎 貴紀(東京理科大学)

著者名(英語): Takashi Meguro(Tokyo University of Science),Hokuto Iijima(Tokyo University of Science),Kazuya Hayase(Tokyo University of Science),Masayuki Hirao(Tokyo University of Science),Kazunari Suzuki(Tokyo University of Science),Takanori Yazaki(Tokyo University of Science)

キーワード: 負の電子親和力|電子放出|ヒ化ガリウム|Negative electron affinity|Electron emission|GaAs

要約(日本語): CsとO2の交互供給を行うYo-yo法によりGaAs基板上に形成した、NEA表面からの光電子放出特性に関して議論し、その放出機構に関して、表面光吸収法、および走査トンネル顕微鏡観察からの結果を基に、詳細を検討した。また、Yo-Yo法に先だって行った基板表面の熱処理工程の履歴により、電子放出効率が大きく変化することが分かり、従来まで提唱されていた放出機構を覆す結果が得られており、それに関しても検討する。

要約(英語): Photo electron emission property from GaAs surfaces with negative electron affinity formed by Yo-Yo method is described. Emission mechanism is also discussed from results of surface photo absorption spectroscopy and scanning tunneling microscopy.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 11,565 Kバイト