負の電子親和力表面からの電子放出過程

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD16022

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2016/01/24

タイトル(英語): Electron emission from negative electron affinity surfaces

著者名: 目黒 多加志(東京理科大学),飯島 北斗(東京理科大学),平尾 昌幸(東京理科大学),稲垣 雄大(東京理科大学),田中 翔太(東京理科大学),松尾 和俊(東京理科大学),山中 大地(東京理科大学)

著者名(英語): Takashi Meguro(Tokyo University of Science),Hokuto Iijima(Tokyo University of Science),Masayuki Hirao(Tokyo University of Science),Yuta Inagaki(Tokyo University of Science),Shota Tanaka(Tokyo University of Science),Kazutoshi Matsuo(Tokyo University of Science),Daichi Yamanaka(Tokyo University of Science)

キーワード: 負の電子親和力|電子放出|仕事関数|Negative Electron Affinity|Electron Emission|Work Function

要約(日本語): 本稿では、負の電子親和力表面（NEA: Negative Electron Affinity）を持つ半導体材料に関し、フォトカソードへのを念頭に、表面上に Cs と O2 を交互に供給するこ とによって(Yo-Yo 法)形成した NEA 表面の電子放出特性 に関し、表面光吸収法(Surface Photo-Absorption: SPA) 、および走査トンネル顕微鏡(Scanning Electron Microscopy: STM)を用いた電子放出構 解析、ならびに NEA 表面形成前の熱処理履歴と量子効率との相関関係か ら、NEA-GaAs 表面構 、及びその形成過程に関して検討 を行った。また、表面形状や面方位等のモフォロジカルな要因に基づく表面電子特性と、量子効率の関係に関しても検討を行っている。

要約(英語): Photo-electron emission properties from semiconductor surfaces with negative electron affinity formed by Yo-Yo activation method are discussed. Surfaces were examined by surface photo absorption spectroscopy and scanning tunneling microscopy. Contribution of surface morphology were also studied.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 577 Kバイト