CW駆動高出力・高信頼性638nm帯ブロードエリア半導体レーザー

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD17058

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2017/07/27

タイトル(英語): High-power and highly-reliable 638 nm band BA-LD for CW operation

著者名: 西田 武弘(三菱電機),蔵本 恭介(三菱電機),阿部 真司(三菱電機),楠 政諭(三菱電機),宮下 宗治(三菱電機),八木 哲哉(三菱電機)

著者名(英語): Takehiro Nishida(Mitsubishi Electric Corporation),Kyousuke Kuramoto(Mitsubishi Electric Corporation),Shinji Abe(Mitsubishi Electric Corporation),Masatsugu Kusunoki(Mitsubishi Electric Corporation),Motoharu Miyashita(Mitsubishi Electric Corporation),Tetsuya Yagi(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 赤|高出力|ブロードエリア|半導体レーザー|複数ストライプ|電気－光変換効率|red|high power|broad area|laser diode|multiple stripe|wall plug efficiency

要約(日本語): CW駆動用638nm帯高出力ブロードエリア半導体レーザーを開発した。このレーザーの電気光変換効率は25℃で40.6%＠2.5W出力時と世界最高値を示す他、55℃の高温においても最大変換効率：23.0%＠1.6Wと従来品に比べて40%の改善が確認された。予備通電試験においては45℃、3A（出力：2.1-2.3W)で3600時間以上に渡り安定に動作している。

要約(英語): The high-power and highly-reliable 638-nm band red broad area (BA) laser diode (LD) for CW operation was newly developed. The LD chip equipped twin stripes with each width of 75 um, and was assembled on ?-9.0 TO package in junction down configuration. The LD showed the highest wall plug efficiency of 40.6% at 25℃ around 2.4W, world recorded, and 23% at 55℃, which was improved by 40% compared with the current product. In the aging test under 45℃, 3A (output power: 2.1-2.3W), all samples under testing showed stable operation up to 3600 hours.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 861 Kバイト