1.0μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD17062

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2017/07/27

タイトル(英語): Development of broadband QD ridge-waveguide laser diode in 1.0um

著者名: 吉沢 勝美(パイオニア･マイクロ･テクノロジー),沢渡 義規(パイオニア･マイクロ･テクノロジー),赤羽 浩一(情報通信研究機構),山本 直克(情報通信研究機構)

著者名(英語): Katsumi Yoshizawa(PIONEER MICRO TECHNOLOGY CORPORATION),Yoshinori Sawado(PIONEER MICRO TECHNOLOGY CORPORATION),Kouichi Akahane(National Institute of Information and Communications Technology),Naokatsu Yamamoto(National Institute of Information and Communications Technology)

キーワード: 量子ドット|広帯域光源|Quantum Dot|Broadband Light Source

要約(日本語): 光情報通信（光ICT）ネットワークでは、光情報通信利用の拡大に伴う光周波数帯域の枯渇が懸念されている。この点から、波長1.0μm帯：Tバンド（1.0～1.26μm）とOバンド（ 1.26～1.36μm）の新たな光周波数帯域の利活用が期待されている。我々は、この帯域における新しい光ゲイン材料や光ICTデバイスに関する研究開発を継続し、広帯域リッジ導波路型LDの開発を報告してきた。今回、InAs量子ドットを用いて1.0μm帯において広帯域性を示す良好なリッジ導波路型LDを開発したので報告する。

要約(英語): In optical information communication (optical ICT) network ,depletion of the optical frequency band associated with the expansion of the using of optical information communication has been a concern. In this respect, the wavelength 1.0μm range: Utilization of new optical frequency band of T-band (1.0 ~ 1.26μm) and O band (1.26 ~ 1.36μm) is expected. We continue to research and development on new optical gain material and optical ICT devices in this band. We have reported the development of broadband ridge waveguide type LD of the broadband light source. This time, we will report development of good ridge waveguide type LD indicating the broadband performance in 1.0μm band using InAs quantum dots.

原稿種別: 日本語

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