直流バイアス電流印加時の薄膜MI素子の挙動とその解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD17092

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2017/12/15

タイトル(英語): Behavior and analysis of thin-film magnetoimpedance properties with DC bias surrent

著者名: 菊池 弘昭(岩手大学),住田 千尋(岩手大学),中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター),枦 修一郎(東北大学),石山 和志(東北大学)

著者名(英語): Hiroaki Kikuchi(Iwate University),Chihiro Sumida(Iwate University),Tomoo Nakai(ITIM),Shuichiro Hashi(Tohoku University),Kazushi Ishiyama(Tohoku University)

キーワード: 磁気インピーダンス|薄膜|直流バイアス電流|非対称|magnetoimpedance|thin-film|DC bias current|asymmetric

要約(日本語): 薄膜を用いたMI素子において、直流バイアス電流を直接通電した際の挙動を実験的に明らかにするとともに、バイアス磁化率の理論、マクスウェルの方程式及び断面形状の効果を考慮した理論式に基づいて実験結果の解析を行った。

要約(英語): We experimentally evaluated magnetoimpedance properties of thin-film element with DC bias current, and analyzed the results based on the bias susceptibility theory, Maxwell’s equation and geometry unbalance of the element. Taking the shape unbalance of the element into account, we explained the asymmetric impedance properties well qualitatively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,115 Kバイト