フォトン場制御による波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD18047

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2018/07/26

タイトル(英語): Enhanced light output power from wavelength-stable, narrow-band Eu-doped GaN red LEDs by controlling photon fields

著者名: 藤原 康文(大阪大学),稲葉 智宏(大阪大学),塩見 圭史(大阪大学),佐々木 豊(大阪大学),市川 修平(大阪大学),LEBRUN Delphine(大阪大学),舘林 潤(大阪大学)

著者名(英語): Yasufumi FUJIAWARA(Osaka University),Tomohiro INABA(Osaka University),Keishi SHIOMI(Osaka University),Yutaka SASAKI(Osaka University),Shuhei ICHIKAWA(Osaka University),Delphine LEBRUN(Osaka University),Jun TATEBAYASHI(Osaka University)

キーワード: 希土類添加半導体|ユーロピウム|赤色発光ダイオード|波長超安定|狭帯域|フォトン場制御|rare-earth-doped semiconductor|europium|red light-emitting diode|wavelength-stable|narrow band|control of photon fields

要約(日本語): 我々は赤色蛍光体の発光中心として広く用いられているEuイオンに着目し、有機金属気相エピタキシャル法により高品質なEu添加GaNを作製するとともに、それを活性層とした波長超安定・狭帯域赤色LEDの室温動作に世界で初めて成功している。その後、赤色LEDからの光出力は増大の一途を辿り、現在では20 mA駆動において1 mWを越えている。本講演では、社会実装が可能となりつつあるGaN:Eu 赤色LEDの現状に加え、フォトン場制御による光出力の増大に向けた取り組みについて紹介する。

要約(英語): We have succeeded in the realization of a wavelength-stable, narrow-band red LED using Eu-doped GaN. By gradual optimization of the Eu excitation mechanism, we have increased the light output power above 1 mW at 20 mA. The control of photon fields using a microcavity is found to be effective for the enhancement of the Eu emission intensity. In this talk, current status of the red LED and the photon-fields control is presented.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 777 Kバイト