AlGaN深紫外LEDの進展と今後の展望

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD18048

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2018/07/26

タイトル(英語): Recent progress and future prospects of AlGaN deep-UV LEDs

著者名: 平山 秀樹(理化学研究所)

著者名(英語): Hideki Hirayama(RIKEN)

キーワード: 深紫外ＬＥＤ|窒化アルミニウム|窒化アルミニウムガリウム|貫通転移密度|有機金属気相成長法|外部量子効率|deep-UV LED|AlN|AlGaN|threading dislocation density|MOCVD|external quantum efficiency

要約(日本語): 深紫外LEDは、殺菌・浄水、医療、紫外樹脂硬化・加工、UV接着、印刷・塗装・コーティング、生化学産業、農業など様々な分野での応用が考えられており今後の実用化が期待されている。最近、窒化物AlGaN系半導体を用いた紫外LEDの開発が盛んに行われており、すでに実用可能な出力も達成されている。本講演では、AlGaN深紫外LEDの高品質結晶成長と高効率・高出力化技術について現状と今後の展望を述べる。

要約(英語): Deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs) are attracting a great deal of attention for applications to sterilization, water purification, UV curing, and in the medical and biochemistry fields. In this work, we developed crystal growth technique of AlGaN/AlN and demonstrated high-efficiency AlGaN-based DUV-LEDs.

原稿種別: 日本語

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