直接貼付InP/Si基板へのMOVPE成長によるGaInAsP系半導体レーザの発振特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD18049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2018/07/26

タイトル(英語): Lasing characteristics of GaInAsP LD grown on directly bonded InP/Si substrate by MOVPE

著者名: 下村 和彦(上智大学)

著者名(英語): Kazuhiko Shimomura(Sophia University)

キーワード: シリコンフォトニクス|半導体レーザ|有機金属気相成長|直接貼付|ＧａＩｎＡｓＰ|silicon photonics|semiconductor laser|metal organic vapor phase epitaxy|direct bonding|GaInAsP

要約(日本語): 親水性直接貼付けによって作製したInP/Si基板上に有機金属気相成長法（MOVPE)によってGaInAsP系半導体レーザ構造を結晶成長し、波長1.5μm帯半導体レーザを試作した。その作製プロセス、結晶特性、レーザ発振特性について報告する。

要約(英語): We report the fabrication process, crystal characteristics, and lasing characteristics of GaInAsP LD grown on directly bonded InP/Si substrate by MOVPE.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 840 Kバイト