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SiOxへのフェムト秒レーザー誘起ナノ構造生成

SiOxへのフェムト秒レーザー誘起ナノ構造生成

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD19007

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2019/03/29

タイトル(英語): Nanostructure formation on SiOx with femtosecond laser pulses

著者名: 髙谷 竜禎(東京農工大学),宮地 悟代(東京農工大学),Richter Lukas Janos(Laser-Laboratorium Goettingen e. V.),Ihlemann Juergen(Laser-Laboratorium Goettingen e. V.)

著者名(英語): Tatsutoshi Takaya(Tokyo Univ. of Agriculture and Technology),Godai Miyaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Technology),Lukas Janos Richter(Laser-Laboratorium Goettingen e. V.),Juergen Ihlemann(Laser-Laboratorium Goettingen e. V.)

キーワード: フェムト秒レーザー加工|レーザー誘起表面周期構造|femtosecond laser processing|laser-induced periodic surface structure (LIPSS)

要約(日本語): SiOx (x ~ 1) 表面にフルーエンス 750 mJ/cm2、パルス数500の100fs, 800nmレーザーパルスを繰り返し照射することにより、周期220-300nmの周期構造をレーザー照射部全体に形成することができた。これは、SiO2よりも高い非線形光吸収係数を有するSiOx (x ~ 1)の表面でレーザー光が吸収されて高密度の電子が励起され、表面プラズモンポラリトンの光近接場によってナノアブレーションが誘起されたことを示している。

要約(英語): 100-fs, 800-nm laser pulses of 500 pulses at 750 mJ/cm2 can form nanostructures on SiOx (x ~ 1) with a period of 220-300 nm in a whole of the irradiation area. The result shows that the high-density electrons are generated in the surface by larger nonlinear optical absorption than that of SiO2, and near-fields of surface plasmon polaritons induce nanoablation in the surface.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,225 Kバイト

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