新規緑色発光半導体の探索

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD20017

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2020/03/09

タイトル(英語): Exploration of Novel Green-Emitting Semiconductors

著者名: 平松 秀典(東京工業大学),細野 秀雄(東京工業大学)

著者名(英語): Hidenori Hiramatsu(Tokyo Institute of Technology),Hideo Hosono(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ペロブスカイト構造|第一原理計算|直接遷移型半導体|硫化物|窒化物|マテリアルズ・インフォマティクス|perovskite-type structure|first-principles calculations|direct transition type semiconductors|sulfides|nitrides|materials informatics

要約(日本語): 緑色発光する新しい直接遷移型半導体の探索例として、硫化物と窒化物の2例を紹介する。硫化物では、まず独自の化学設計指針を打ち立て、第一原理計算を併用し、狙った組成の試料を固相反応法によって合成した。さらに、p型・n型両方のキャリアドープにも成功した。窒化物では、マテリアルズ・インフォマティクスから見いだした新窒化物のバンドギャップを最適化するため、全率固溶体を作製することによって緑色発光を実現した。

要約(英語): We present 2 researches of exploration of novel green-emitting direct transition type semiconductors, which are a sulfide and a nitride. As for the sulfide research, we initially established a unique material design concept. Then we calculated electronic structures of candidate materials and synthesized some target materials by solid-state reaction. Furthermore, we achieved p- and n-type carrier doping of a new sulfide. As for the nitrides, we synthesized complete solid-solution samples of a new nitride, which was found through materials informatics, to optimize its energy band gap for green-light emission.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,363 Kバイト