p-GaNコンタクト層に反射型フォトニック結晶を形成した深紫外LEDの試作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD20042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2020/10/30

タイトル(英語): Trial production of reflective photonic crystals formed in p-GaN contact layers of deep ultraviolet LEDs

著者名: 鹿嶋 行雄(理化学研究所/丸文),松浦 恵里子(理化学研究所/丸文),定 昌史(理化学研究所),篠原 秀敏(芝浦機械),上村 隆一郎(アルバック),長田 大和(アルバック),古田 寛治(アルバック),岩井 武(東京応化工業),青山 洋平(東京応化工業),祝迫 恭(日本タングステン),長野 丞益(大日本印刷),平山 秀樹(理化学研究所),大神 裕之(日本タングステン)

著者名(英語): Yukio Kashima(RIKEN),Eriko Matsuura(RIKEN),Masafumi Jo(RIKEN),Hidetoshi Shinohara(Shibaura Machine),Ryuichirou Kamimura(ULVAC),Yamato Osada(ULVAC),Kanji Furuta(ULVAC),Takeshi Iwai(tok),Yohei Aoyama(tok),Yasushi Iwaisako(Nippon tungsten),Tsumugu Nagano(DNP),Hideki Hirayama(RIKEN),Hiroyuki Oogami(Nippon tungsten)

キーワード: 深紫外ＬＥＤ|新型コロナウィルス不活化|光取り出し効率|反射型フォトニック結晶|電力光変換効率|ｐ－ＧａＮコンタクト層|deep ultraviolet LEDs|New corona virus|light extraction efficiency|reflective photonic crystal|wall plug efficiency|p-GaN contact layer

要約(日本語): 280nm波長の深紫外LEDは、特に、新型コロナウィルス不活化に有効と注目を集めている。しかし、市販品の効率は3％と低く、その主な要因は、量子井戸層で発光した光がp-GaNコンタクト層で吸収されて光取り出し効率が低いためである。そこで、筆者らはp-GaNコンタクト層に反射型フォトニック結晶を形成して高出力LEDの試作に取り組んでいる。

要約(英語): We work on a trial production of reflective photonic crystals formed in p-GaN contact layers of deep ultraviolet LEDs in order to increase light extraction efficiency to achieve higher output power.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,167 Kバイト