金属酸化膜へのhfac吸着とGCIB照射による表面反応
金属酸化膜へのhfac吸着とGCIB照射による表面反応
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: OQD20052
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会
発行日: 2020/12/08
タイトル(英語): Surface reactions on metal oxide with hfac by GCIB irradiation
著者名: 植松 功多(兵庫県立大学),豊田 紀章(兵庫県立大学)
著者名(英語): Kota Uematsu(University of Hyogo),Noriaki Toyoda(University of Hyogo)
キーワード: ガスクラスターイオンビーム|原子層エッチング|XPS|gas cluster ion beam|Atomic layer etching|XPS
要約(日本語): デバイスの微細化に伴い原子層エッチング(ALE)が注目されている。ALEは、反応性分子吸着、排気、表面層除去を繰り返してエッチングする技術で、一般に表面層除去にはArイオン等が用いられるが、我々は低損傷・低温で表面反応促進が期待されるガスクラスターイオンビーム(GCIB)を用いて検討してきた。本研究ではNiに対してヘキサフルオロアセチルアセトン(hfac)吸着とGCIB照射による表面反応についてXPSによる分析を行った。
要約(英語): Atomic-layer-etching (ALE) is attracting attention because of the shrink of device dimension. Generally, ion irradiation is used to remove the surface layer, but we use gas-cluster-ion-beam (GCIB) to enhance surface reactions. In this study, we studied the surface reaction of NiO with hexafluoroacetylacetone (hfac) induced by GCIB using in-vacuum XPS.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,332 Kバイト
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