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金属酸化膜へのhfac吸着とGCIB照射による表面反応

金属酸化膜へのhfac吸着とGCIB照射による表面反応

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD20052

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2020/12/08

タイトル(英語): Surface reactions on metal oxide with hfac by GCIB irradiation

著者名: 植松 功多(兵庫県立大学),豊田 紀章(兵庫県立大学)

著者名(英語): Kota Uematsu(University of Hyogo),Noriaki Toyoda(University of Hyogo)

キーワード: ガスクラスターイオンビーム|原子層エッチング|XPS|gas cluster ion beam|Atomic layer etching|XPS

要約(日本語): デバイスの微細化に伴い原子層エッチング(ALE)が注目されている。ALEは、反応性分子吸着、排気、表面層除去を繰り返してエッチングする技術で、一般に表面層除去にはArイオン等が用いられるが、我々は低損傷・低温で表面反応促進が期待されるガスクラスターイオンビーム(GCIB)を用いて検討してきた。本研究ではNiに対してヘキサフルオロアセチルアセトン(hfac)吸着とGCIB照射による表面反応についてXPSによる分析を行った。

要約(英語): Atomic-layer-etching (ALE) is attracting attention because of the shrink of device dimension. Generally, ion irradiation is used to remove the surface layer, but we use gas-cluster-ion-beam (GCIB) to enhance surface reactions. In this study, we studied the surface reaction of NiO with hexafluoroacetylacetone (hfac) induced by GCIB using in-vacuum XPS.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,332 Kバイト

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