SiC JFET及びSiCショットキーバリアダイオードを用いて構成した昇圧チョッパ回路の特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE11046

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術研究会

発行日: 2011/03/08

タイトル(英語): The characteristics of a boost chopper circuit using a SiC JFET and a SiC schottky diode

著者名: 岩倉 隆詞(大阪大学),柿ヶ野 浩明(大阪大学),三浦 友史(大阪大学),伊瀬 敏史(大阪大学)

著者名(英語): Iwakura Takanori(Osaka University),Kakigano Hiroaki(Osaka University),Miura Yushi(Osaka University),Ise Toshifumi(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣ　ＪＦＥＴ|昇圧チョッパ回路|高周波|SiC JFET|boost chopper circuit|high frequency

要約(日本語): 近年、SiCなどのワイドバンドギャップ半導体に注目が集まっているが、応用を検討するために必要なデータはまだまだ不足している。そこで、SiCを用いたJFETとダイオードを用いて昇圧チョッパ回路を製作した。これをDSPとフォトカプラを用いたゲートドライブ回路によって動作し、得られた実験データをもとに新型デバイスの特性について考察する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 913 Kバイト