ノーマリオフＳｉＣ－ＪＦＥＴ用高速スイッチングゲート駆動回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE12029,PSE12045,SPC12071

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): High-speed switching gate drive circuit for nomary-off SiC-JFET

著者名: 佐藤 伸二(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),図子 祐輔(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),松井 康平(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),谷本 智(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),村上 善則(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構)

著者名(英語): Shinji Sato(R&D Partnership for Futire Power Electronics Technology),Yusuke Zushi(R&D Partnership for Futire Power Electronics Technology),Kohei Matsui(R&D Partnership for Futire Power Electronics Technology),Satoshi Tanimoto(R&D Partnership for Futire Po

キーワード: シリコンカーバイド|ワイドギャップ半導体|接合形ＦＥＴ|ゲート駆動回路|SiC|Wide bandgap semiconductor|JFET|Gate drive circuit

要約(日本語): ノーマリオフ型JFETを高速にターンオン時させるにはゲートに対して数A～10数Aのパルス電流を流す。これを実現するゲート駆動回路として、①スピードアップコンデンサを用いた方式、②多段のゲートドライバを用いた方式がある。前者は回路方式が簡単な特徴を持つが、ゲート駆動回路のピーク電流が大きいだけでなく、パルス幅が狭い場合、充分なゲートパルス電流が流せなくなる。後者は回路が複雑かつ大型化になるという問題がある。_x000D_ 簡単な回路で高速にSiC-JFETを高速にスイッチングさせるゲート駆動方式を提案する。提案した回路はPWM制御の制約がなく、ゲート駆動用フォトカプラに簡単な回路を追加するだけで実現できる。提案回路の構成と設計、実験スイッチング試験による従来回路との比較などを報告する。

要約(英語): In this paper, a novel gate drive circuit that makes quick turn-on/-off transition of SiC-JFETs with simple topology is proposed. A performance of this circuit is not restricted to widths of gate signals. An experimentally comparison between the proposed

原稿種別: 日本語

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