SiCパワーデバイスの適用によるインバータ回路における損失低減に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE14020,PSE14020,SPC14055

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/03/06

タイトル(英語): A study on the reduction of power loss in the inverter circuit by application of SiC device.

著者名: 舟木 剛(大阪大学),入江 亮介(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Ryosuke Irie(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣデバイス|三相インバータ|インバータ損失|モータ駆動|SiCdevice|Three phase inverter|Inverter loss|Motor drive

要約(日本語): SiC半導体を用いたパワーデバイスは高耐圧かつ低オン抵抗を実現できると期待されている。本稿では、Si-IGBTとSi-PiNダイオードを使用して構成されたSiインバータとSiC-MOSFET単体およびSiC-SBDを使用して構成されたSiCインバータについてスイッチング損失や導通損失などを実験的に評価する。得られた結果をもとに、SiCデバイスによる電力変換損失低減について議論する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,996 Kバイト