SiC高周波誘導加熱インバータにおけるSiCMOSFETのゲート電圧変動に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE14021,PSE14021,SPC14056

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/03/06

タイトル(英語): A study on gate voltage fluctuation for high-frequency induction heating SiC inverter

著者名: 舟木 剛(大阪大学),宮下 善光(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(Osaka university),Yoshimitsu Miyashita(Osaka university)

要約(日本語): ハーフブリッジ回路において、一方のパワーデバイスの高速スイッチング動作が、他方のMOSFETゲート電圧に変化を起こす。これがゲート閾値電圧まで上昇することで遮断状態にあるべきMOSFETが過渡的に導通状態となるセルフターンオン現象が知られている。本稿では、SiCMOSFET高周波誘導加熱装置において、発生するゲート電位変動について実験的に評価する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,263 Kバイト