ゲートドライブ電源を利用した MOSFETスイッチングアシスト回路の設計法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE14042,PSE14042,SPC14077

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2014/03/06

タイトル(英語): Design Approach of MOSFET Switching Assist Circuit Using Gate Drive Power Supply

著者名: 村田 宗洋(静岡大学),野口 季彦(静岡大学)

著者名(英語): Munehiro Murata(Shizuoka University),Toshihiko Noguchi(Shizuoka University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|高速スイッチング|補助回路|チョッパ|インバータ|パラメータ設計|MOSFET|high-speed switching|auxiliary circuit|chopper|inverter|parametric design

要約(日本語): 本稿ではゲートドライブ電源昇圧補助回路のパラメータ設計を検討する。設計したパラメータを用いたゲートドライブ電源昇圧補助回路を降圧チョッパとハーフブリッジインバータに適用し，実験を通じて運転特性を検証した。提案する手法でMOSFETを高速スイッチングすることにより，チョッパでは軽負荷領域においてオンデューティサイクルを14.4 pt改善し，インバータでも軽負荷領域において9.0 ptの効率改善を実験的に確認したので報告する。

要約(英語): This paper describes circuit parameter design of MOSFET switching assist auxiliary circuit fed by gate drive power supply. By applying designed circuit parameters to chopper and inverter, turn-off time of MOSFET can be reduced, which allows high-frequency drive. It was confirmed through experimental tests turn-off dv/dt of MOSFET can be increased 9 times of conventional circuit by employing proposed method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,035 Kバイト