MOSFET寄生容量の高速充放電によるスイッチング損失低減法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE15042,PSE15064,SPC15095

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/02/19

タイトル(英語): Switching Loss Reduction by Means of High-Speed Charging and Discharging of MOSFET's Parasitic Capacitor

著者名: 村田 宗洋(静岡大学),野口 季彦(静岡大学)

著者名(英語): Munehiro Murata(Shizuoka University),Toshihiko Noguchi(Shizuoka University)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|補助回路|ターンオン|ターンオフ|スイッチング損失|インバータ|MOSFET|auxiliary circuit|turn-on|turn-off|switching loss|inverter

要約(日本語): 本稿ではゲートドライブ電源を利用したスイッチングアシスト回路を用いてMOSFETの寄生出力容量を高速充電することによりスイッチング損失を低減する手法を提案している。提案手法をPWMインバータに適用した際には、MOSFETのターンオン損失およびボディダイオードのリカバリ損失を改善することで軽負荷時において14.8ptの効率向上を実機検証において確認した。

要約(英語): This paper describes switching loss reduction of a MOSFET using a switching assist circuit fed by the gate drive power supply. In the case of the application to the inverter, the total efficiency can be improved by 14.8 points in the low-load range owing to the reduction of the turn-on loss of the MOSFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,001 Kバイト