高速スイッチングのためのSiCパワーMOSFETの静特性と動特性の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE15049,PSE15071,SPC15102

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/02/19

タイトル(英語): Evaluations of Static and Dynamic Characterization of Silicon Carbide Power-MOSFET for High-speed Switching

著者名: 周 瑞(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): RUI ZHOU(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ|静特性|動特性|高速スイッチング|SiC power MOSFET|Static characteristic|Dynamic characteristic|High-speed switching

要約(日本語): SiCパワーMOSFETの高速スイッチングを目標とし、SiパワーMOSFETとSiCパワーMOSFETの静特性と動特性を評価、比較した。材料以外の相違点を減らすために同じパッケージのSi MOSFET(FQP17N40，FAIRCHILD)とSiC power MOSFET (SCTMU001F，Rohm) を使用した。SiCパワーMOSFETはしきい値電圧はVdsによって変化することとSiに比べ容量が小さいなどの静特性を示した。動特性の測定から動作周波数が5MHz以下では両素子の差がほとんどなく、10M

要約(英語): We evaluate and compare the static and dynamic characterization of Silicon (Si) power MOSFET and Silicon Carbide (SiC) power MOSFET for the high-speed switching of SiC power MOSFETs. In order to equalize measurement conditions, we use Si power MOSFET (FQP17N40, FAIRCHILD) and SiC power MOSFET (SCTMU001F, Rohm) in the same package．As its static characterization，it shows that the threshold voltage of Si power MOSFETs varies as Vds and the capacitance is smaller than that of Si power MOSFETs. From the evaluation of dynamic characterization，it is assured that when the operation frequency is under 5MHz，there is no difference between two elements while when in the case of 10MHz，only SiC power MOSFET can work correctly._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,353 Kバイト