GaN HEMTの等価回路表現によるスイッチング特性のモデル化に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE15050,PSE15072,SPC15103

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2015/02/19

タイトル(英語): A study on equivalent circuit modeling of GaN HEMT for switching characterisation

著者名: 舟木 剛(大阪大学),中野 善大(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(Osaka University),Yoshihiro Nakano(Osaka University)

キーワード: ＧａＮ　ＨＥＭＴ|等価回路モデル|スイッチング特性|スイッチング時間|スイッチング損失|抵抗性負荷|GaN HEMT|equivalent circuit model|switching characterization|switching time|switching loss|resistive load

要約(日本語): 本稿では、GaN HEMTのスイッチング特性の評価を行うために、GaN HEMTのIV特性およびCV特性の簡易物理的モデルをもとに等価回路表現によるモデル化を行う。また本稿では、導出したGaN HEMTのモデルを用いた抵抗性負荷に対するスイッチング動作におけるスイッチング時間およびスイッチング損失についての比較を行った結果を報告する。

要約(英語): In this paper, we applied IV, CV model based on property of semiconductor and modeled equivalent switching circuit model for resistive load to evaluate switching characteristics for GaN HEMT. We reported the result of transient response model for the switching time and the switching loss.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,672 Kバイト