ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴを用いたZソースインバータにおけるボディーダイオードの無通電運転に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE16012,PSE16032,SPC16051

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/03/08

タイトル(英語): Consideration of Eliminating Free-wheeling Diode Conduction of Z-source Inverter using SiC-MOSFET

著者名: 飯嶋 竜司(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Ryuji Iijima(University of Tsukuba ),Takanori Isobe(University of Tsukuba ),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba )

キーワード: Ｚソースインバータ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|デッドタイムレス動作|ボディーダイオード|Z-source inverter |SiC-MOSFET|Dead-time less operation|free-wheeling diode

要約(日本語): Zソースインバータは、従来インバータで禁止されていたレグの上下短絡によって、昇圧・インバータ動作を機能融合した回路方式である。本研究では、SiC-MOSFETをこの回路方式に用いる際、上下短絡を利用して、SiC-MOSFETの損失の増加、素子の劣化を引き起こすボディーダイオードへの通電を回避することを提案する。実機による検証により、SiC-MOSFETをZソースインバータ上で駆動した場合のボディーダイオードの無通電運転を確認したので報告する。

要約(英語): The Z-source inverter can perform boost and inverter functions in one stage using short-through operation by shorting inverter legs. This paper discusses about the current paths in the circuit of Z-source inverter using SiC-MOSFET and confirmed eliminating the free-wheeling diode conduction in experiments.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,190 Kバイト