詳細な等価回路モデルに基づいたGaN-HFETのスイッチング特性の解析手法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE16014,PSE16034,SPC16053

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/03/08

タイトル(英語): Analysis Method of Switching Characteristics of GaN-HFET Based on Accurate Analytical Circuit Model

著者名: 畑 槇吾(大阪大学),三浦 友史(大阪大学),石田 昌宏(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),伊瀬 敏史(大阪大学)

著者名(英語): Shingo Hata(Osaska University),Yushi Miura(Osaska University),Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Toshifumi Ise(Osaska University)

キーワード: 等価回路モデル|スイッチング特性|窒化ガリウムパワーデバイス|Analytical circuit model|Switching characteristics|GaN power device

要約(日本語): 電力変換器に対する小型・高効率化の要求から，低オン抵抗かつ高速スイッチングが可能なGaN半導体素子などの開発が進められている。これらのスイッチング時間を試算するには，従来の簡易的な等価回路モデルに基づいた解析手法では正確な結果が得られず，シミュレーションモデルを用いた数値計算でも収束性が悪いため難しい。そこで本稿では，より詳細な等価回路モデルに基づいた，高速スイッチング素子の簡易な解析手法を提案する。

要約(英語): GaN devices can operate with higher frequency than conventional silicon transistors. However, with higher switching speed, accurate estimates of the losses in these devices based on the simple analytical circuit model become difficult. In this paper, an accurate analytical circuit model maintaining the simplicity of conventional model is proposed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,613 Kバイト