A meta-parameterised approach for the evaluation of semiconductor technologies: a comparison between SiC MOSFET and Si IGBT technologies

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE16015,PSE16035,SPC16054

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/03/08

タイトル(英語): A meta-parameterised approach for the evaluation of semiconductor technologies: a comparison between SiC MOSFET and Si IGBT technologies

著者名: Barrera Cardenas Rene Alexander(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),Molinas Marta(Norwegian University of Science and Technology)

著者名(英語): Rene Alexander Barrera Cardenas(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Marta Molinas(Norwegian University of Science and Technology)

キーワード: Semi-conductor evaluation|power losses|SiC-MOSFET|IGBT|Volume

要約(日本語): この論文では電力変換装置に用いられるパワー半導体スイッチモジュールのメタ・パラメタライズ手法について紹介する。電力損失と体積の評価のための一般的モデルを導入する。SiC-MOSFETの得意とするアプリケーションを明らかにするため，Si-IGBTとSiC-MOSFETについてこの手法で評価を行う。

要約(英語): This paper presents a meta-parameterized approach for evaluation of Power Switch Modules (PSMs) in power converters. General models and parameters for evaluation of power losses and volume of a PSM are presented. Then, meta-parameterization is performed for two semiconductor devices successfully commercialized for low/medium power converters, Si-IGBTs and SiC-MOSFET. A comparative analysis based on efficiency and power density of the considered technologies is presented. A bidirectional non-isolated DC-DC converter topology is considered as application example in order to show how meta-parameters can be used in comparative studies and device selection can be optimized.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 1,711 Kバイト