OCVD法での接合容量の効果：電流成分を含んだモデル式の構築

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE16043,PSE16063,SPC16082

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2016/03/08

タイトル(英語): Effect of the Junction Capacitance by Open Circuit Voltage Decay Method:Construction of the Model Including Current Component

著者名: 真辺 航(九州工業大学),原田 翔平(九州工業大学),司馬 悠地(九州工業大学),附田 正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Wataru Manabe(Kyushu Institute of Technology),Shohei Harada(Kyushu Institute of Technology),Yuji Shiba(Kyushu Institute of Technology),Masanori Tsukuda(City of Kitakyushu),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワー半導体|キャリアライフタイム|開放回路電圧減衰法|ＴＣＡＤシミュレーション|ＰＩＮダイオード|接合容量|Power device|Carrier lifetime|Open circuit voltage decay|TCAD simulation|PIN diode|Junction capacitance

要約(日本語): PINダイオードなどパワー半導体のキャリアライフタイム測定法である開放回路電圧減衰法（OCVD法）の課題を分析した。測定過程をTCADシミュレーションで再現し分析した結果、接合容量の変位電流により低注入時のキャリアライフタイム測定で誤差が生じることを突き止めた。本知見をもとにデバイス内部のキャリア過渡現象をモデル式で表現し、従来より高精度なOCVD法の構築につなげる。

要約(英語): We discussed applying the open circuit voltage decay (OCVD) method to measure carrier lifetime of power devices. A deviation of the carrier lifetime was confirmed by TCAD simulation on low level injection conditions. Introducing a transition model of carrier, a high accuracy measurement could be achieved.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,415 Kバイト