SiC-MOSFETのMHz動作に向けた配線インダクタンスの影響とRCDスナバ回路によるリンギング抑制効果の検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE17048,PSE17048,SPC17097

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/03/08

タイトル(英語): Ringing Suppression of Wiring Inductance by the RCD Snubber for MHz-Switching of SiC-MOSFET

著者名: 山下 夕貴(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Yuki Yamashita(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|スナバ|配線インダクタンス|高速スイッチング|リンギング|SiC-MOSFET|Snubber|Wiring inductance|High-speed switching|Ringing

要約(日本語): SiC-MOSFETは高速スイッチングによる電力変換回路の小型化を行える一方、高速動作下では配線インダクタンスの影響が顕著となる。対策の一つであるスナバ回路は、回路全体の配線インダクタンスを配慮して設計されるが、実際には配線インダクタンスの存在箇所によりデバイスへの影響が異なる。本稿ではSiC-MOSFETの高速動作に焦点を当て、配線インダクタンス箇所を考慮したRCDスナバ回路のリンギング抑制効果を検討する。

要約(英語): MHz-switching of SiC-MOSFET minimizes power converter circuits. However, wiring inductance causes ringing by increasing switching frequency. We evaluate the influence of wire inductance near the SiC-MOSFET, and how inductance location affects ringing noise suppression with the RCD snubber.

原稿種別: 日本語

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