SiC MOSFETを用いたスイッチトリラクタンスモータ駆動回路の損失に関する一検討 ―同期整流による導通損失低減―

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE17049,PSE17049,SPC17098

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/03/08

タイトル(英語): A study on loss in SiC-MOSFET inverter for switched reluctance motor -Conduction loss reduction with synchronous rectification-

著者名: 林 慧(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Kei Hayashi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|スイッチトリラクタンスモータ|同期整流|非対称ブリッジ回路|導通損失|SiC-MOSFET|Switched reluctance motor|Synchronous rectification|Asymmetric circuit|conduction loss

要約(日本語): スイッチトリラクタンスモータ（SRモータ）の駆動回路には一般的に非対称ブリッジ回路が採用される。本研究では、SRモータ駆動回路にSiC-MOSFETを適用したHブリッジインバータを採用し、同期整流による導通損失の低減について実験的に評価した結果について報告する。

要約(英語): Asymmetric bridge circuit topology is generally used for switched reluctance motor (SR motor) drive circuit. This study applies Full-SiC H bridge circuit topology in SR motor drive and synchronous rectification to reduce conduction loss._x000D_ The loss of inverter is experimentally evaluated and confirmed the effectiveness of synchronous rectification._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,958 Kバイト