ZソースインバータにおけるGaN-HFET適用時の有用性の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE18033,PSE18009,SPC18054

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Evaluation of Effectiveness of GaN-HFET in Z-Source Inverter

著者名: 半田 悠樹(大阪大学),三浦 友史(大阪大学),石井 卓也(パナソニック　セミコンダクターソリューションズ),上田 哲三(パナソニック),伊瀬 敏史(大阪大学)

著者名(英語): Yuki Handa(Osaka University),Yushi Miura(Osaka University),Takuya Ishii(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Toshifumi Ise(Osaka University)

キーワード: 窒化ガリウム|Ｚソースインバータ|高周波スイッチング|半導体電力変換|GaN|Z-source inverter|high frequency switching|Semiconductor power conversion

要約(日本語): Siデバイスは理論的性能限界に近づきつつあるため，性能の大幅な向上のためにGaNデバイスが注目されている。本稿では，GaN-HFETの特長を生かし得る回路としてZソースインバータに着目し，スイッチング周波数20kHzにおける実験によりGaN-HFETおよびSi-MOSFET適用時の特性を比較した。また，半導体スイッチの違いによる200kHzへの高周波化時の特性の差異についても実器実験による比較を行った。

要約(英語): For overcoming the theoretical performance limits of Si power devices, GaN power devices are attracting attention. This paper shows the characteristics comparison between GaN-HFET and Si-MOSFET in Z-source inverter based on the experimental result at 20kHz switching. In addition, the characteristics differences depending on the switching devices are shown through the experiment when the switching frequency is 20 to 200 kHz.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,600 Kバイト