6.5kVフルSiCを適用したHVDC向けMMCのセルコンデンサ容量と半導体損失の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE18034,PSE18010,SPC18055

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): Verification of Cell Condenser Capacitance and Semiconductor loss of 6.5kV Full SiC based MMC for HVDC Transmission Systems.

著者名: 石井 佑季(三菱電機),中嶋 純一(三菱電機),大開 美子(三菱電機)

著者名(英語): Yuki Ishii(Mitsubishi Electric Corporation),Junichi Nakashima(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshiko Obiraki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＭＭＣ|ＨＶＤＣ|ＳｉＣ|損失計算|MMC|HVDC|SiC|Loss calculation

要約(日本語): 本稿では、HVDC向けMMCに当社開発品の6.5kVフルSiCデバイス(SBD内蔵SiC-MOSFET)を適用した場合のセルコンデンサ容量と半導体損失について検討を実施する。セルコンデンサの検討では、SiC適用によるスイッチング周波数の増加によって、静電容量を15%低減可能であることを示す。また、SiCの素子特性値を用いてMMCの半導体損失の検討を行い、従来のSi-IGBTを適用したMMCと比較して、出力10%から100%までの範囲において半導体損失が53%以下に低減されることを示す。

要約(英語): This paper describes a verification result of SiC based modular multilevel converter (MMC) for HVDC. This paper designs MMC using developed 6500V 400A SBD-embedded SiC-MOSFET for 576MW/±250kV HVDC. Numerical analysis shows that capacitance of chopper cell decrease by about 15%. In addition, semiconductor loss calculation reveals that more 53% semiconductor loss reduction is achieved.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,028 Kバイト