パワーエレクトロニクス教育用回路キットを用いたワイドバンドギャップ半導体デバイスの過渡特性に関する実験的評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE18035,PSE18011,SPC18056

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/03/05

タイトル(英語): An experimental study on switching characterization of wide band gap semiconductor device with educational power electronics circuit kit

著者名: 林 慧(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Kei Hayashi(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: 教育用回路キット|ワイドバンドギャップ半導体デバイス|過渡特性|Ｓｉデバイス|ＳｉＣデバイス|ＧａＮデバイス|educational power electronics circuit kit|wide band gap semiconductor device|transient characterization|Si device|SiC device|GaN device

要約(日本語): 筆者らが開発したパワーエレクトロニクス教育用回路キットは最小の回路構成であるため、回路内構成要素が過渡特性に与える影響を明確に観測できる。本研究では、ワイドバンドギャップ半導体デバイスであるSi/SiC/GaNデバイスを同一条件下で試験し、その過渡応答について議論し、回路キットの比較試験における有用性を示す。

要約(英語): The developed educational power electronics circuit kit, which has minimum power electronics circuit configuration, is useful in evaluating transient response of the circuit. This paper compares the transient characteristic of Si, SiC, GaN device switching operation with the developed educational kit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,888 Kバイト