光MEMSのためのSi基板上GaN量子井戸結晶のMBE成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS06005

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2006/05/15

タイトル(英語): MBE Growth of GaN Quantum well Crystals on Si substrate for Optical MEMS

著者名: 趙洋 (東北大学),胡芳仁 (東北大学),伊藤亮輔 (東北大学),羽根一博 (東北大学)

著者名(英語): Y.Zhao (Department of Nanomechanics,Tohoku University),F-R Hu(Department of Nanomechanics,Tohoku University),R.Ito (Department of Nanomechanics,Tohoku University),K.Hane (Department of Nanomechanics,Tohoku University)

キーワード: MBE| InGaN/GaN量子井戸|中間緩衝層|Si基板|配光可変型発光素子

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,061 Kバイト