ＳｎドープＩｎＳｂ単結晶薄膜を用いた半導体磁気抵抗素子の特性と歯車回転検出応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PHS07012

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門　フィジカルセンサ研究会

発行日: 2007/02/01

タイトル(英語): Magneto-resistance effect of Sn-doped InSb Single Crystal Thin Films and Application to Gear Rotation Detection

著者名: 西村和浩(旭化成電子),山田哲史(旭化成エレクトロニクス),後藤広将(旭化成エレクトロニクス),岡本敦(旭化成エレクトロニクス),外賀寛崇(旭化成エレクトロニクス),柴崎一郎(旭化成)

著者名(英語): Kazuhiro Nishimura|Satoshi Yamada|Hiromasa Goto|Atsushi Okamoto|Ichiro Shibasaki

キーワード: 半導体磁気抵抗素子|ｉＮｓＢ単結晶薄膜|分子線エピタキシー|Ｓｎドープ|歯車回転検出|magneto-resistance elements|InSb single crystal thin film|molecular beam epitaxy|tin doping|gear rotation detection

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 705 Kバイト